2024年1月20日更新
・パーツリストを修正版に更新
・記事説明文、部品取り付け図を修正
・Newバージョン基板(Rev.1.02基板）の記事を追記（一番最後に追記）
7MHzトランシーバー(0.5W)は完成して上手くできたので現在21MHzトランシーバーを製作中です。
・ジェネレーター基板とパーツのセットを頒布予定（コスト試算中）
（下記より旧ブログ記事、最後に更新した追記部分があります）
JLCPCBよりCQ1号SSBジェネレータ基板が届きました。今度はちゃんと自分で製作して検証したいと思います。これに組み合わせるトランスバーター基板も作る予定です。現在KICADでトランスバーター回路図を作成中、出力は500mWくらいを考えています。
*回路はビギトラCQ1号を参考に現在入手可能なデバイスに変更しています。
例えばデュアルゲートFETはEU製のBF998に変更、クリスタルフィルターは自作ラダーフィルターにしました。
回路図(2023.1.25修正）クリック拡大
C, Rチップ部品サイズは2125(2012) 2.0㎜ x 1.25㎜
途中経過(2022.11.20)
チップ抵抗とコンデンサを半田付け中
2012サイズ(2.0×1.25)は老眼の私でもなんとか手付け可能サイズ、リードをカットしたりカット後のゴミが出ないのでFBです。
途中経過2022.12.17
残りFCZコイル、電解コンデンサ
ジェネレータ基板完成2022.12.18
ジェネレータ基板ようやく半田付け完成しました。とりあえず変調がかかっているのと受信できるのは確認。感度が少し低いのはソース接地に修正忘れたからと思います。手直ししたら次はトランスバーター基板の設計を続けます。
下の写真はクリスタルフィルターの帯域や入力損失を測定するためにSMAコネクターをテストポイントに取り付けています。フィルター後のSSB出力レベルはTinySAでの簡易測定では約-33.6dbmでした。トランスバータのVXO出力とミックスするために少し増幅した方が良いかと思ったのですがミキサーICにSA612(SA602, NE612)を使うと-33.6dBmで大丈夫そうなので追加アンプ無しでトライしてみます。ダイオードミキサーなどのパッシブ素子だと0dBm(1mW)くらいは必要ではないかと思います。
１．C103 (0.01uF)
半田付け面（裏側）
C1, C9, C11, C15(不要), C16, C17, C20, C27(不要), C29, C31, C32, C34, C35, C41, C46(C46は0.1uF)
0.01uF 部品面 C10
2．C104 (0.1uF)
半田付け面側（裏側）C23, C33, C46
0.1uF 部品面側 C22
3．C102 (0.001uF)
半田付け面側（裏側）C21, C37
0.001uF 部品面側 C24
4. 抵抗10KΩ R6, R8, R12, R10, R17, R31
Ｒ8＝Ｒ17＝27ＫΩに変更
5．抵抗4.7KΩ ５個
半田付け面側R13, R28, R33
部品面側 R7, R14
6．抵抗1KΩ
半田付け面側R3, R25, R27
R25はジャンパー又は０Ω
部品面側 R19 1KΩ 100Ω
7．抵抗100Ω = R19, R22, R29 の３個
抵抗2.2K = R4の1個
部品面側
R5=2.2Kの1個
8．R11, R20, R26, R32 = 1MΩ
9．R9, R18, R35 = 10Ω
R9＝R18＝０Ω又はジャンパー
10．R15, R30 = 470Ω
470Ω 部品面側 R30
11．R23, R24 = 510Ω
12．R1 = 330Ω
使用するクリスタルフィルターのインピーダンスに合わせます。今回の11.2896MHzフィルター製作では不要でした。
13．R2 = 1.6KΩ
使用するクリスタルフィルターのインピーダンスに合わせます。今回の11.2896MHzフィルター製作では不要でした。
14．R16 = 6.8KΩ
15．R21 = 5.6KΩ
16．R34 = 22Ω
17．R36 = 2.2KΩ
18. C3, C4, C5, C6, C7 = 68PF
19. C14, C26 = 47PF
20. C2, C8 = 33PF
21. C12 = 15PF 10PF
22. C18 = 220PF
23. C19 = 150PF
24. C25 = 0.022uF(223)
26. Q1, Q3 = BF998 Dual Gate FET
大きい端子がS（ソース）
部品面側
27. U1 = SN16913P 変調用（バラモジ）
28. U2 = LM386 AFアンプ
29. C13 = 20PF 60PFトリマコンデンサ
30. 水晶 Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7 = 11.2896MHz(7MHzトランシーバー用）
*VXO18.432MHzを使用(18.432MHz - 11.2896MHz = 7.142MHz)
*21MHzトランシーバー製作の場合は10.78125MHzを使用します。
VXO32MHz - 10.78125MHz = 21.218MHz
ラダーフィルター6素子の製作 2022.12.4
31. ゲルマニウムダイオード
D3, D4, D5, D6, D7, D8, D9 (受信DBM、AGC、Sメーター用）1N60など
32. スイッチングダイオード
D1, D2(送受信切り替え用)1N4148など
基板シルク印刷のA=アノード、〇印=カソード(帯側)です。
33. トランジスター Q4, Q5, Q6, Q7 (2SC1815)
34. インダクタ L1 4.7uH
35. AF用ジャック J11、MIC用ジャック J3
36. DCジャック J9
37. FCZコイル7mm角 9MHz用 T1, T2
38. 電解コンデンサ
C38, C40, C42, C44 = 1uF
C28, C48, C49 = 100uF
C39, C43 = 4.7uF
C45, C47 = 220uF
C30 = 22uF
39. 配線用ピンヘッダー
Vcc(2pin), IF In/Out(2pin), PTT(2pin), AF VR(3pin), Sメーター(2pin), AGC(1pin), R+(1pin), T+(1pin), TP(1pin)
新しいバージョンのジェネレーター基板(Rev.1.02 May 10, 2023)を作りました。
前バージョンと回路構成は同じです。
シルク印刷だけ変更しました。部品名などを入れたりして作りやすくしました。
IF周波数を10.78125MHz(サトー電気）にして21MHzトランシーバー用に製作中。
32MHz VXO - 10.78125MHz = 21.218MHz
サトー電気で購入した水晶をいつものようにNano VNAを使って特性の近いものを揃えます。（今回は9個しか購入していないので選別というより確認したみたいな感じ）
インピーダンス補正していないのでリップルが出ています。
キャリアポイントはUSB10.7778MHz、LSB10.7799MHzで帯域は約2.1KHzくらいと少し狭くなりましたが、とりあえずこれでトランシーバーを作ってみます。
ウォークマンの出力を入れてTS850Dで受信したところ変調も綺麗で問題無さそうでした。
Local（10.78125MHz発振回路出力に直接接続して測定）レベルはTiny SAと周波数カウンターで測定したところ-18dBm～-20dBmでした。
ラダーフィルタ通過後のSSB出力レベルはこれよりさらに低くなるでしょう（未測定、-34dBmくらいか?）
これから製作する21MHzトランスバーター入力用（ミキサーSA612、-40dBm程度あればOK)としては前回の7MHzトランスバーターと同じくらいと予想。
SSBジェネレータの感度チェック↓
クリスタルフィルター通過後の感度で－127dBmのTinySAのSG信号が聴こえました(TinySA－97dBm出力 + 30dB ATT)
このあとトランスバーターを付加するのでとりあえず良さそうです。
